在工业真空磁控溅射镀膜过程中，长期工艺稳定性是一项关键要求，其中一个问题是靶材表面形成所谓的“结瘤”。

        这是靶材表面持续受到Ar+轰击以及被溅射原子再沉积的多重作用而发生复杂的物理化学变化，靶材结瘤毒化后，靶材的溅射速率降低，打弧频率增加，膜层均一性变差，此时就必须停机清理靶材表面或更换靶材，这将严重降低沉积膜层的质量和生产效率。

影响靶材结瘤的原因很多，主要包括以下几个方面：
        ①靶材的本身材料：与靶材的元素分布均匀性、导电性、颗粒结构、密度或孔隙等有关。一般来说，靶材表面的大颗粒、孔隙处以及低导电性位置等，常是电弧发生且是结瘤严重区域。②阴极结构：如阴极磁场、靶材绑定等。③沉积过程中的腔室工艺环境：如反应溅射形成的靶面介质层，水汽等气体污染、灰尘，或者碎片等异常情况。

        可以注意到，在无外界控制手段介入的情况下，靶材结瘤的形成和电弧之间的相互作用似乎是相互促进。

        这种情况下，电源的作用就显得尤为重要，例如：①电源本身的输出稳定性；②降低电弧的产生率，可选择电源输出波形以及频率等进行优化；③快速的电弧处理能力以及有效的抑弧参数设定等。

        霍廷格电子致力于开发、制造用于各种沉积和干蚀刻工艺的等离子电源，如果您的工艺正受到结瘤等问题的困扰，请随时和我们联系，我们将为您提供最专业的产品和技术支持，为您的设备保驾护航！

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