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Ultrafast Growth of Graphene Single Crystal

Ultrafast Growth of Graphene Single Crystal

  • 分类:学术论文
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2018-04-18
  • 访问量:

Ultrafast Growth of Graphene Single Crystal


Kaihui Liu, Zhimin Liao, Enge Wang and Dapeng Yu
School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China

Abstract: Graphene single crystal has become as a promising material for next generation electronics and optoelectronics. Unfortunately we can’t grow 12-inch graphene single-crystal wafer as we can do in silicon industry. One of the main hamper is that we nowadays grow graphene single crystal very slow. In this talk I will introduce why we need to grow graphene faster and how fast we can achieve in our recently developed new technology [1].

Reference:
Xiaozhi Xu, Zhihong Zhang, Dapeng Yu, Enge Wang, Feng Ding*, Hailin Peng*, Kaihui Liu*,et al. “Ultrafast Growth of Single-crystal Graphene Assisted by a Continuous Oxygen Supply”,Nature Nanotechnology 2016, in press.


俞大鹏院士简历

            俞大鹏,男,1959 年3 月16 日出生于宁夏中卫。2000 年获得国家杰出青年科学基金;2002 年获得教育部“长江学者”特聘教授;2005 年获得教育部长江学者与创新团队计划--“准一维纳米结构与低维物理”项目支持;2015 年当选为中国科学院技术学部院士。

            俞大鹏院士长期从事纳米线材料中关键基础科学问题的研究,为我国纳米线材料科学研究进入国际先进行列做出了重大贡献:

        (1)、率先发展了催化剂引导下的纳米线可控制备技术并制备了硅和金属氧化物纳米线材料, 解决了规模、可控制备纳米线材料的难题,开启了国际半导体纳米线研究的新纪元;(2)、深入揭示了纳米线材料特有的系列与尺寸和表面密切相关的光电和力电耦合等新颖物理现象;(3)、系统发掘了纳米线材料的若干重大应用特性如场发射性质等,发现了若干重要的纳米线器件效应,发明了一系列纳米加工与精确操控技术,申请国家发明专利20 余项(含多项国际PCT 专利),引领了半导体纳米线材料的应用基础研究。

            基于所取得的研究成果,俞大鹏院士共计发表300 余篇论文,含Nature 子刊、Physical Review Letters、Applied Physics Letters、Advanced Materials、Nano Letters 等顶级专业刊物论文100 余篇,被同行参考他引一万余次,h 因子为68。俞大鹏院士曾以第一完成人获得了2004年度教育部提名自然科学一等奖和2007 年获国家自然科学二等奖。在世界著名出版公司Elsevier 发布的2014、2015 年度在全球具有重要学术影响力的中国高被引学者(Most Cited论文集中国真空学会2016 学术年会Chinese Researchers)榜单中,俞大鹏院士连续进入“物理与天文学科”前三名。

            俞大鹏院士培养了一批优秀人才,部分毕业生在包括北京大学、清华大学、中国科技大学、南京大学、中国科学院、美国哥伦比亚大学、MIT、UCSD 等名校任教;被评选为第二届北京大学研究生“十佳导师”荣誉称号。俞大鹏院士还担任《Science China. Materials》副主编、《Nano Research》、J. Materiomics 等国内外学术刊物编委;他还兼任中国物理学会理事、中国真空学会理事等职务。
 

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